近日,被称为“*功率半导体”、使用金刚石的电力控制用半导体的开发取得进展。日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本 Orbray 合作开发出了用金刚石制成的功率半导体,并以 1 平方厘米 875 兆瓦的电力运行。
该功率半导体在已有的金刚石半导体中,输出功率值为全球*高,在所有半导体中也仅次于氮化镓产品的约 2090 兆瓦。与作为新一代功率半导体的碳化硅(SiC)产品和氮化镓(GaN)产品相比,金刚石半导体耐高电压等性能出色,电力损耗被认为可减少到硅制产品的五万分之一。
金刚石功率半导体的耐热性和抗辐射性也很强,到 2050 年前后,有望成为人造卫星等所必需的构件。
金刚石材料具备载流子迁移率高、载流子饱和漂移速率大、击穿场强大等特性,是制造大功率、高温、高频器件的理想材料,由于它的带隙宽、热导率高、击穿电场强、极高的电荷迁移率,使得金刚石半导体器件能够在高频、高功率、高电压以及强辐射等十分恶劣的环境中运行,被称为“*半导体材料”。
IT之家了解到,全球天然金刚石年产量约为 1.5 亿克拉,而人造金刚石产量则超过 200 亿克拉,其中 95% 产量来自于中国大陆。
本站部分文章系转载,不代表中国硬质合金商务网的观点。中国硬质合金商务网对其文字、图片与其他内容的真实性、及时性、完整性和准确性以及其权利属性均不作任何保证和承诺,请读者和相关方自行核实。据此投资,风险自担。如稿件版权单位或个人不愿在本网发布,请在两周内来电或来函与本网联系。